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每個(gè)電子元器件制造生產(chǎn)企業(yè)都會(huì)存在電子呆料、廢料的情況，如何處理比較合理？從以往的電子呆料處理市場(chǎng)反饋來(lái)說(shuō)，大部分企業(yè)都有自己長(zhǎng)期的處理渠道，一般來(lái)說(shuō)就是有固定的3個(gè)左右回收商合作，但是也有弊端，因?yàn)榉忾]性導(dǎo)致沒(méi)有市場(chǎng)數(shù)據(jù)參入，廠家會(huì)覺(jué)得價(jià)格賣(mài)得低，回收商會(huì)覺(jué)得價(jià)格收得高，都是想著能利潤(rùn)。
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通信IC回收
據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)日前發(fā)布的一份預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)三年將保持兩位數(shù)的增長(zhǎng)，這份報(bào)告還表明，全球半導(dǎo)體業(yè)之所以能夠復(fù)蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒(méi)，近年來(lái)通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長(zhǎng)，給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。在近兩年里，三網(wǎng)融合的大趨勢(shì)有力地推動(dòng)了芯片業(yè)的發(fā)展，通信芯片在移動(dòng)通信、無(wú)線Internet和無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸業(yè)的發(fā)展，開(kāi)始超過(guò)了PC機(jī)芯片的發(fā)展。IDC的預(yù)測(cè)，通信IC芯片，尤其是支持第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)的IC芯片，將成為21世紀(jì)初全球半導(dǎo)體芯片業(yè)大的應(yīng)用市場(chǎng)。

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繼電器回收
繼電器（英文名稱(chēng)：relay）是一種電控制器件，是當(dāng)輸入量（激勵(lì)量）的變化達(dá)到規(guī)定要求時(shí)，在電氣輸出電路中使被控量發(fā)生預(yù)定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(tǒng)（又稱(chēng)輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱(chēng)輸出回路）之間的互動(dòng)關(guān)系。通常應(yīng)用于自動(dòng)化的控制電路中，它實(shí)際上是用小電流去控制大電流運(yùn)作的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。

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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。

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電腦芯片回收
電腦芯片其實(shí)是個(gè)電子零件 在一個(gè)電腦芯片中包含了千千萬(wàn)萬(wàn)的電阻 電容以及其他小的元件。電腦上有很多的芯片，內(nèi)存條上一塊一塊的黑色長(zhǎng)條是芯片，主板、硬盤(pán)、顯卡等上都有很多的芯片，CPU也是塊電腦芯片，只不過(guò)他比普通的電腦芯片更加的復(fù)雜更加的精密 。芯片有南橋芯片，北橋芯片，芯片是主板的心臟，CPU是電腦的心臟。不過(guò)芯片分好多種，比如CPU也可說(shuō)為是芯片，還有顯卡芯片、聲卡芯片等等，他們大部分是計(jì)算作用。

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MOS管回收
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

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