貼片場效應(yīng)管封裝信息我要推廣到這里
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名 稱:雙通道先進(jìn)功率MOS型 號(hào):VS3640DS 封 裝:SOP-8 最小包裝:3000PCS/盤 品 牌:威兆/Vanguard Semiconductor 輸入電壓范圍:30V,9A 特 點(diǎn):雙路N通道5V邏輯電平控制 ..08月16日
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??深圳恒立微電子科技有限公司成立以來,集研發(fā),銷售一體化。已形成為技術(shù)力量雄厚,生產(chǎn)、檢測設(shè)備,生產(chǎn)規(guī)模龐大的事業(yè)性制造企業(yè)。 ? ? ? ? 本公司以研發(fā)銷售,MOS管(場效應(yīng)管03月31日
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飛捷電子有限公司是專業(yè)的功率器件分銷商,主要代理特諾,安森美,華潤華晶,士蘭微,星芯微,芯聯(lián)等產(chǎn)品,同時(shí)推廣仙童,英飛凌,意法半導(dǎo)體,TI等國際知名品牌功率器件。 經(jīng)營內(nèi)容12月09日
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華晶場效應(yīng)管CS2N60A4HY產(chǎn)品參數(shù) 品牌:華晶 型號(hào):CS2N60A4HY 導(dǎo)電類型:耗盡型 材料:N溝道絕緣格柵 封裝:TO252 導(dǎo)電類型:N溝道 規(guī)格 :2A/600V 地..12月09日
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飛捷電子有限公司是專業(yè)的功率器件分銷商,主要代理特諾,安森美,華潤華晶,士蘭微,星芯微,芯聯(lián)等產(chǎn)品,同時(shí)推廣仙童,英飛凌,意法半導(dǎo)體,TI等國際知名品牌功率器件。 經(jīng)營內(nèi)容12月09日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應(yīng)管,原裝,庫存現(xiàn)貨SLD20N06T : 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌:美浦森型號(hào):SLD20N06TVDS: 60VIDS ..09月05日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應(yīng)管,原裝,庫存現(xiàn)貨SLD60N02T : 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌:美浦森型號(hào):SLD60N02TVDS: 20VIDS ..09月05日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應(yīng)管,原裝,庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù):60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌:美浦森型號(hào): SLD80N06T電壓:60V 電流:8..09月05日
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2.00元MT30046S是n溝道功率MOSFET特性?類型Ros(.n)=10V,ID=30A?。極低Ros(on)和高p(p)的導(dǎo)電溝槽技術(shù)。MT30046S n溝道功率MOSFET特性?類型Ros (. n)=10V,ID =20A?。極低Ros(on)和高p (p)的導(dǎo)電溝槽..09月03日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道場效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流(ID)、漏源擊穿電壓(VDS)、柵源閾值電壓(VGS(th))以及導(dǎo)通電阻(RDS(on))等。這些參..07月29日
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2.00元MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET),其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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2.00元MT3287-N溝道場效應(yīng)管,作為一種增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導(dǎo)體制造工藝,確保了在高溫..07月29日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET),其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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2.00元**低導(dǎo)通電阻**:MT3287/B采用的工藝設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻,有效降低了電路中的能量損耗,提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**:得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力,MT3287/B在高頻應(yīng)用中..07月29日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導(dǎo)體制造工藝,能夠在高頻率下保持低損耗,是電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源及高速信號(hào)切換等應(yīng)用的理想選..07月29日
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深圳市恒耀達(dá)電子專業(yè)供應(yīng)原廠原裝正品ST TI ON(安森美) FAIRCHILD仙童 NXP(恩智普) ATMEL IR AXIM CYPRESS 鐵電 ALLEGRO ALTERA AOS 華潤矽威 芯龍 MONRON OMRON等元器件,專業(yè)提供一站..01月15日
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WSD30L68DN 是性能好的溝槽型 P-ch MOSFET,具有的單元密度,為大多數(shù)同步巴克轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了的 RDSON 和柵電荷。WSD30L68DN 滿足 RoHS 和綠色產(chǎn)品要求 EAS ,全功能可靠性得到認(rèn)可。 WS..12月05日
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深圳市恒耀達(dá)電子專業(yè)供應(yīng)原廠原裝正品ST TI ON(安森美) FAIRCHILD仙童 NXP(恩智普) ATMEL IR AXIM CYPRESS 鐵電 ALLEGRO ALTERA AOS 華潤矽威 芯龍 OMRON等元器件,專業(yè)提供一站式元器件..05月10日
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NCE3010S NCE3010場效應(yīng)管MOS管 30V/10A 代理原裝 描述 NCE3010S使用先進(jìn)的海溝技術(shù)和 較低的設(shè)計(jì)提供良好的RDS(上)門。它 可用于各種各樣的應(yīng)用程序。 一般特征 ●V = 30 V,I = 10 RDS..08月01日
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星際金華現(xiàn)貨供應(yīng)IRF5852TRPBF雙溝道邏輯電平場效應(yīng)管,優(yōu)勢大量貨源出售,價(jià)格實(shí)在,質(zhì)量也可保證! 星際金華火熱提供IRF5852TRPBF雙溝道邏輯電平場效應(yīng)管,百分百正品行貨,期待您的來電08月13日
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