- 信息報(bào)價(jià)
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1100.00元鉭棒鉭塊鉭板回收上海福宋公司 化學(xué)符號(hào)Ta,鋼灰色金屬鉭,在元素周期表中屬VB族,原子序數(shù)73,原子量159.2199體9902心立方晶體,常見化合價(jià)為5。鉭的硬度較低,并與含氧量相關(guān),普通純鉭09月18日
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1100.00元上?;厥战饘巽g塊,鉭棒,鉭板,鉭條,鉭片,鉭粒,鉭絲,鉭錠,鉭坩堝,鉭邊角料,普陀區(qū)回收鉭塊,鉭棒,鉭板,鉭條,鉭片,鉭絲,鉭錠,鉭坩堝03月28日
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1100.00元普陀區(qū)鉭塊回收,鉭板,鉭錠,鉭條,鉭棒,鉭管,鉭片 上海鉭塊回收,鉭板回收,鉭錠回收,鉭條回收,鉭棒回收,鉭管回收,鉭片回收,鉭靶材回收,普陀區(qū)鉭塊回收,鉭板回收,鉭錠回收,鉭條回收,鉭棒回收,鉭..01月08日
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1500000.00元鉭磁控濺射靶材所具有的特性,使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊鉭是稀有金屬礦產(chǎn)資源之一,是電子工業(yè)和空間技術(shù)發(fā)展不可缺少的戰(zhàn)略原料電容器是鉭的主要終消費(fèi)領(lǐng)域,約占總消費(fèi)量的60%。美國是鉭消費(fèi)..09月08日
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1500000.00元鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對(duì)鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。鉭磁控濺射靶材所具有的特性,使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊一般來說,廢鉭材回收的主要步驟包..09月08日
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1500000.00元鉭 Ta,金屬元素,主要存在于鉭鐵礦中,同鈮共生。鉭的硬度適中,富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件..09月08日
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1500000.00元Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。電容器是鉭的主要終消費(fèi)領(lǐng)域,約占總消費(fèi)量的60%。美國是鉭消費(fèi)量的國家,1997年消費(fèi)量達(dá)500噸..09月08日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月08日
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1500000.00元鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對(duì)鹽酸、及“王水”都不反應(yīng)。鉭磁控濺射靶材所具有的特性,使它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣闊鉭是稀有金屬礦產(chǎn)資源之一,是電子..09月08日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月08日
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1500000.00元鉭在單質(zhì)中,僅次于碳,鎢,錸和鋨,位居第五。鉭富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。每升高一攝氏度只膨脹百萬分之六點(diǎn)六。除此之外,它的韌性很強(qiáng),比銅還要優(yōu)異。鉭的硬..09月08日
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1500000.00元Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。鉭還有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件下,對(duì)鹽酸、及“王水”都..09月08日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月08日
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1500000.00元Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。鉭在單質(zhì)中,僅次于碳,鎢,錸和鋨,位居第五。鉭富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹..09月08日
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1500000.00元鉭 Ta,金屬元素,主要存在于鉭鐵礦中,同鈮共生。鉭的硬度適中,富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。鉭有非常出色的化學(xué)性質(zhì),具有極高的抗腐蝕性,無論是在冷和熱的條件..09月08日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月08日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月08日
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1500000.00元制備五氧化二鉭薄膜并研究其性能,有很強(qiáng)的實(shí)用價(jià)值,已引起人們的密切關(guān)注。Ta2O5(氧化鉭)薄膜的光譜透過波段為0.3~10um,是可見光到近紅外波段重要的高折射率材料之一。五氧化二鉭靶材----..09月08日
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1500000.00元當(dāng)超大規(guī)模集成電路的特征尺寸縮小至小于65nnm或者更小時(shí),傳統(tǒng)的二氧化硅柵介質(zhì)層的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅層會(huì)大幅度增加器件功耗,并且減弱柵極電壓控制溝道的能力。在等效..09月08日
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1500000.00元鉭在單質(zhì)中,僅次于碳,鎢,錸和鋨,位居第五。鉭富有延展性,可以拉成細(xì)絲式制薄箔。其熱膨脹系數(shù)很小。每升高一攝氏度只膨脹百萬分之六點(diǎn)六。除此之外,它的韌性很強(qiáng),比銅還要優(yōu)異。驗(yàn),鉭..09月08日
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