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87000.00元燒結(jié)銀技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn) 1.什么是燒結(jié)銀技術(shù) 20世紀(jì)80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，即通過銀燒結(jié)銀顆粒AS9385實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件與基板的互連方法。SHAREX善仁新材是燒結(jié)..09月08日
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89000.00元相比焊接模塊，加壓燒結(jié)銀的銀燒結(jié)技術(shù)對(duì)模組結(jié)構(gòu)、使用壽命、散熱產(chǎn)生了重要影響，采用銀燒結(jié)技術(shù)可使模塊使用壽命提高5-10倍，芯片連接采用銀燒結(jié)合金而不是焊接，燒結(jié)連接熔點(diǎn)更高，這意味..09月08日
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87000.00元銀燒結(jié)是一種經(jīng)過驗(yàn)證的芯片粘接技術(shù)，可確保無空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。相對(duì)于焊料合金，銀燒結(jié)技術(shù)可以更有效的提高大功..09月08日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。在這種燒結(jié)過程中，在適當(dāng)?shù)膲?.09月08日
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87000.00元銀燒結(jié)是一種經(jīng)過驗(yàn)證的芯片粘接技術(shù)，可確保無空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和服務(wù)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。..09月08日
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燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月08日
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87000.00元SHAREX的AS9385銀燒結(jié)技術(shù)也被成為低溫連接技術(shù)（Low temperature joining technique,LTJT），作為一種新型無鉛化芯片互連技術(shù)，AS9385燒結(jié)銀可在低溫（＜250℃）條件下獲得耐高溫（＞700℃）和..09月08日
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目前，銀燒結(jié)技術(shù)成為國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)中應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)，美國、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。在銀燒結(jié)技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，需要在基板裸銅表..09月08日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。銀燒結(jié)是一種經(jīng)過驗(yàn)證的芯片粘..09月08日
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燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月08日
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89000.00元燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月08日
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與傳統(tǒng)的高溫?zé)o鉛釬料相比，AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)連接層成分為銀，具有優(yōu)異的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能，由于銀的熔點(diǎn)高達(dá)961℃，將不會(huì)產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng)，具有極高..09月08日
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燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導(dǎo)率提升5倍，國內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體封裝的核心技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的不二選擇.芯片連接采用銀燒結(jié)合金而不是..09月08日
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87000.00元銀燒結(jié)是一種經(jīng)過驗(yàn)證的芯片粘接技術(shù)，可確保無空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。有壓銀燒結(jié)AS9385是一種新型的高可靠芯片粘接和鍵..09月08日
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燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月08日
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目前盡可能從機(jī)械方面集成電力電子系統(tǒng)所有的功能，碳化硅、氮化鎵（射頻／非射頻）模塊封裝也向著更高的集成度方向發(fā)展。由于材料的熱膨脹系數(shù)不同、高溫波動(dòng)和運(yùn)行過程中的過度負(fù)載循環(huán)將導(dǎo)..09月08日
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燒結(jié)層厚度較焊接層厚度薄60-70%，熱傳導(dǎo)率提升5倍，國內(nèi)外諸多廠商把銀燒結(jié)技術(shù)作為第三代半導(dǎo)體封裝的核心技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)成為芯片與基板之間連接的不二選擇.同時(shí)在此基礎(chǔ)上開發(fā)出雙面銀燒..09月08日
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89000.00元燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個(gè)難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開關(guān)時(shí)損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月08日
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目前，銀燒結(jié)技術(shù)成為國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)中應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)，美國、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。相比焊接模塊，加壓燒結(jié)銀的銀燒結(jié)技術(shù)對(duì)模組結(jié)構(gòu)、使用壽命、散熱產(chǎn)生..09月08日
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