場效應(yīng)管可控硅信息我要推廣到這里
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1.60元廈門市旭晶電子有限公司坐落于美麗的濱海城市--廈門。公司致力于打造一流的服務(wù)體系，可靠的質(zhì)量保證，為客戶提供高性價(jià)比的產(chǎn)品和服務(wù)。 ——主營產(chǎn)品系列MOS、 快恢復(fù)、肖特基、單06月13日 -
原裝IXYS場效應(yīng)管/MOS管 IXFK94N50P2 現(xiàn)貨直銷，特價(jià)優(yōu)惠，量多從優(yōu) IXYS二極管，IXYS快恢復(fù)二極管，IXYS場效應(yīng)管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二極管 IXYS整流二極管 ，IXYS MOS管 艾賽斯可控硅..11月07日
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德國IXYS 場效應(yīng)/MOS管 IXTQ460P2 全新原裝現(xiàn)貨 IXYS場效應(yīng)管 IXYS二極管 IXYS快恢復(fù)二極管 深圳市永創(chuàng)碩電子科技有限公司是一家專業(yè)電子元器件及磁性材料代理經(jīng)銷企業(yè)，公司成立于200..11月07日
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供應(yīng)場效應(yīng)管IIXFH34N65X2 德國IXYS艾賽斯代理 IXYS二極管，IXYS快恢復(fù)二極管，IXYS場效應(yīng)管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二極管 IXYS整流二極管 ，IXYS MOS管 艾賽斯可控硅 IXYS IGBT 艾賽斯..11月07日
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德國IXYS 場效應(yīng)管 IXFH60N50P3 全新原裝大量現(xiàn)貨 IXYS二極管 IXYS快恢復(fù)二極管 IXYS場效應(yīng)管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二極管 IXYS整流二極管 現(xiàn)貨供應(yīng) 質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 專業(yè)代理 原裝進(jìn)口 更多..11月07日
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PMOS 場效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導(dǎo)通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..09月05日
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場效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號(hào)及詳細(xì)信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..09月05日
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1000.00元回收場效應(yīng)管,MOS管，電源IC 20％ 服務(wù)大眾、信守承諾、估價(jià)、方便快捷、嚴(yán)格保密為原則 回收庫存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..09月05日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..09月05日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號(hào)：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..09月05日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號(hào)： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..09月05日
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2.00元MT30046S是n溝道功率MOSFET特性?類型Ros(.n)=10V,ID=30A?。極低Ros(on)和高p(p)的導(dǎo)電溝槽技術(shù)。MT30046S n溝道功率MOSFET特性?類型Ros (. n)=10V,ID =20A?。極低Ros(on)和高p (p)的導(dǎo)電溝槽..09月03日
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晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項(xiàng)目外觀質(zhì)量、性能測試、功..09月05日
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中國耗盡型結(jié)型場效應(yīng)管市場投資策略及前景趨勢預(yù)測報(bào)告2024-2030年 ★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修訂】：2024年6月【出版機(jī)構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)【內(nèi)容部分有刪減·詳細(xì)可參中智信投研究網(wǎng)..09月05日
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中國N型金氧半場效應(yīng)管市場發(fā)展趨勢及前景深度研究報(bào)告2024-2030年★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修訂】：2024年6月【出版機(jī)構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)【內(nèi)容部分有刪減·詳細(xì)可參中智信投研究網(wǎng)出..09月05日
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2.00元MT3287-N溝道場效應(yīng)管，作為一種增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），其核心優(yōu)勢在于其高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度。該器件采用的半導(dǎo)體制造工藝，確保了在高溫..07月29日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道場效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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2.00元MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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MT6808D是一款基于半導(dǎo)體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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2.00元**低導(dǎo)通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..07月29日
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