<P>電阻焊定位銷概述<BR>本公司引進高科技氮化硅陶瓷制造技術的基礎上按照國家標準生產的電阻焊定位銷,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術（得到理想的電阻焊定位銷坯體密度），經1600℃以上高溫燒結獲得高密度、高強度氮化硅陶瓷制品。可廣泛應用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設備或產品的零部件，取得了很好的預期效果。近年來，隨著制造工藝和測試分析技術的發(fā)展,電阻焊定位銷等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應用面在不斷擴大。</P>
<P><IMG src=""><BR>電阻焊定位銷特點<BR>1、工藝優(yōu)良:電阻焊定位銷采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術，經高溫燒結具有高強度，硬度，致密度。流延成型
流延成型(Tape casting)是薄片陶瓷材料的一種重要成型方法，產能高、自動化程度高，但燒成收縮率高達20-21%，可制備厚度為10-1000μm的陶瓷薄膜。小米5手機陶瓷外殼和多款手機陶瓷指紋蓋板均采用流延成型工藝。
流延成型工藝過程包括：
1)將陶瓷粉末與添加劑在有機溶劑中混合，形成懸浮的漿料。
2)成型時漿料從料斗下部流至基帶之上，通過基帶與刮刀的相對運動形成坯膜，坯膜的厚度由刮刀控制。
3)坯膜連同基帶一起送入烘干室，溶劑蒸發(fā)，形成具有一定強度和柔韌性的坯片。<BR>2、性能穩(wěn)定:電阻焊定位銷具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。反應燒結法(RS)
是采用一般成型法,先將硅粉壓制成所需形狀的生坯,放入氮化爐經預氮化(部分氮化)燒結處理,預氮化后的生坯已具有一定的強度,可以進行各種機械加工(如車、刨、銑、鉆). 后,在硅熔點的溫度以上;將生坯再一次進行完全氮化燒結,得到尺寸變化很小的產品(即生坯燒結后,收縮率很小,線收縮率< 011% ). 該產品一般不需研磨加工即可使用。反應燒結法適于制造形狀復雜,尺寸的零件,成本也低,但氮化時間很長。
熱壓燒結法(HPS)
是將氮化硅 粉末和少量添加劑(如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等),在1916 MPa以上的壓強和1600 ℃以上的溫度進行熱壓成型燒結。英國和美國的一些公司采用的熱壓燒結氮化硅 陶瓷,其強度高達981MPa以上。燒結時添加物和物相組成對產品性能有很大的影響。由于嚴格控制晶界相的組成,以及在氮化硅 陶瓷燒結后進行適當?shù)臒崽幚?所以可以獲得即使溫度高達1300 ℃時強度(可達490MPa以上)也不會明顯下降的氮化硅系陶瓷材料,而且抗蠕變性可提高三個數(shù)量級。若對氮化硅 陶瓷材料進行1400———1500 ℃高溫預氧化處理,則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相,它能顯著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高溫強度。熱壓燒結法生產的氮化硅 陶瓷的機械性能比反應燒結的
氮化硅 要,強度高、密度大。但制造成本高、燒結設備復雜,由于燒結體收縮大,使產品的尺寸精度受到一定的限制,難以制造復雜零件,只能制造形狀簡單的零件制品,工件的機械加工也較困難。<BR>3、應用廣泛：電阻焊定位銷可廣泛應用于機械、冶金、化工、航空、半導體等工業(yè)上作為作某些設備或產品的零部件。高純氮化硅粉體生產簡單流程
原料：高純硅粉，高純氮氣(純度>99.99%)，去離子水 設備：高溫常壓臥式氣氛爐，立式球磨機，普通混料機，普通鄂式破碎機，干燥設備。
終產品：高純氮化硅粉
生產簡單流程：
（1） 高純氮化硅粉裝入臥式氣氛爐，通入氮氣，通約數(shù)小時，開始升溫，升到一千多度開始保溫，保溫數(shù)小時之后，關閉閥門，關閉氮氣。繼續(xù)保溫數(shù)小時，出爐。上述過程保持常壓。
（2） 保溫結束，降溫至室溫，打開爐蓋，取出氮化硅塊，用普通鄂式破碎機破碎至20－60目。
（3） 將20－60目氮化硅粉，加入球磨機，再加入等質量的水，球磨數(shù)小時，分離得到更細的氮化硅粉，放入干燥設備烘干，包裝。 上述生產過程，原料均為環(huán)境友好材料，產品也為普通陶瓷產品為無害產品。向環(huán)境中排放主要為少量多余高純氮氣，由于氮氣是大氣主要組成部分，對環(huán)境。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的電阻焊定位銷產品優(yōu)勢<BR>質量穩(wěn)定：實行全過程質量監(jiān)控，細致入微，檢測！<BR>價格合理：內部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>電阻焊定位銷實拍圖<BR>電阻焊定位銷選型手冊<BR>面對市場上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會感到忙繞。目前市面上的陶瓷產品選型手冊和選型標準一般是按照材料的性能和應用來分類。<BR>電阻焊定位銷Si 3N 4陶瓷的制備方法
氮化硅陶瓷的制備技術發(fā)展很快 , 由于 Si 3N 4是強共價化 合物 , 其擴散系數(shù) 、 致密化所的體積擴散及晶界擴散速 度 、 燒結驅動力很小 , 這決定了純氮化硅不能靠常規(guī)固相燒結 達到致密化 。 目前氮化硅陶瓷燒結工藝方法主要有 :常壓燒 結 、 反應燒結 、 熱壓燒結 、 氣壓燒結等 。
1常壓燒結
常壓燒結是以高純 、 超細 、 高 α相含量的氮化硅粉末與少量助燒劑混合 , 通過成形 、 燒結等工序制備而成 。 由于常壓燒 結法很難制備高密度的純氮化硅材料 , 為了獲得的氮 化硅材料 , 需要加入助燒劑與 Si 3N 粉體表面的 SiO 2反應 , 在 高溫下形成液相 , 活化燒結過程 , 通過溶解析出機制使其致 密 。 因此 , 常壓燒結 Si 3N 4研究的關鍵在于選擇合適的助燒劑 。 目前常用的助燒劑主要有 :MgO 、 Y 2O 3、 稀土元素氧化物 、 復合 助燒劑等 , 這些助燒劑能控制液相粘度 , 提高相轉變 , 防止固 溶體形成 , 降低晶格氧含量并控制玻璃相組成和含量 。
2反應燒結
反應燒結是把硅粉或硅粉與氮化硅粉的混合物成形后 ,在 1200℃ 左右通氮氣進行預氮化處理 , 之后機械加工成所需 零件 , 后在 1400℃ 左右進行終氮化燒結 。 其主要反應有 :
3Si+2N2=Si 3N 4(1)
在反應爐中 , 隨著爐溫的不斷升高 , 氮氣的活性增強 , 當 達到一定溫度 1100~1200℃ 時 , 氮氣和硅粉發(fā)生 (1) 式反應 , 反應放出能量并傳給周圍硅原子 , 使之活化并繼續(xù)反應 , 隨著 反應不斷深入坯體內部 , 硅粉也不斷氮化生成氮化硅 。
2.3熱壓燒結
熱壓燒結是將 Si 3N 粉末和少量添加劑 (如 MgO 、 Al 2O 3、MgF 2、 Fe 2O 3等 ) 在 19.6MPa 以上的壓強和 1600℃ 以上的溫度進行熱壓成型燒結 。 英國和美國的一些公司采用熱壓燒結Si 3N 4陶瓷 , 其強度達到 981MPa 以上 。 熱壓燒結時添加物和氮化硅陶瓷的制備及性能研究進展.<BR>電阻焊定位銷利用氮化硅 重量輕和剛度大的特點，可用來制造滾珠軸承、它比金屬軸承具有更高的精度，產生熱量少，而且能在較高的溫度和腐蝕性介質中操作。用氮化硅 陶瓷制造的蒸汽噴嘴具有耐磨、耐熱等特性，用于650℃鍋爐幾個月后無明顯損壞，而其它耐熱耐蝕合金鋼噴嘴在同樣條件下只能使用1 - 2個月.由中科院上海硅酸鹽研究所與機電部上海內燃機研究所共同研制的氮化硅 電熱塞，解決了柴油發(fā)動機冷態(tài)起動困難的問題，適用于直噴式或非直噴式柴油機。這種電熱塞是當今、理想的柴油發(fā)動機點火裝置。日本原子能研究所和三菱重工業(yè)公司研制成功了一種新的粗制泵，泵殼內裝有由11個氮化硅 陶瓷轉盤組成的轉子。由于該泵采用熱膨脹系數(shù)很小的氮化硅 陶瓷轉子和精密的空氣軸承，從而無需潤滑和冷卻介質就能正常運轉。如果將這種泵與超真空泵如渦輪———分子泵結合起來，就能組成適合于核聚變反應堆或半導體處理設備使用的真空系統(tǒng)。
以上只是氮化硅 陶瓷作為結構材料的幾個應用實例，相信隨著氮化硅 粉末生產、成型、燒結及加工技術的改進，其性能和可靠性將不斷提高，氮化硅陶瓷將獲得更加廣泛的應用。由于氮化硅 原料純度的提高，氮化硅 粉末的成型技術和燒結技術的迅速發(fā)展，以及應用領域的不斷擴大，氮化硅 正在作為工程結構陶瓷，在工業(yè)中占據(jù)越來越重要的地位。氮化硅 陶瓷具有的綜合性能和豐富的資源，是一種理想的高溫結構材料，具有廣闊的應用領域和市場，都在競相研究和開發(fā)。陶瓷材料具有一般金屬材料難以比擬的耐磨、耐蝕、耐高溫、抗氧化性、抗熱沖擊及低比重等特點?？梢猿惺芙饘倩蚋叻肿硬牧想y以勝任的嚴酷工作環(huán)境，具有廣泛的應用前景。成為繼金屬材料、高分子材料之后支撐21世紀支柱產業(yè)的關鍵基礎材料，并成為為活躍的研究領域之一，當今都十分重視它的研究與發(fā)展，作為高溫結構陶瓷家族中重要成員之一的氮化硅 陶瓷,較其它高溫結構陶瓷如氧化物陶瓷、碳化物陶瓷等具有更為的機械性能、熱學性能及化學穩(wěn)定性. 因而被認為是高溫結構陶瓷中有應用潛力的材料。</P>
<P>電阻焊定位銷訂購注意事項<BR>1、此產品不支持網上訂購，由于氮化硅陶瓷產品大多數(shù)屬于非標定制件，如您需要訂購電阻焊定位銷產品請隨時致電聯(lián)系我們，我們一定會盡心盡力為您提供的服務。電話： <BR>2、①需要提供圖紙或者樣品。②需要告知訂購數(shù)量③需要告知應用場合及對產品的技術要求④使用溫度⑤使用介質⑥其他要注意的事項。<BR>3、如有特殊要求時請在訂購產品時注明。<BR>4、當使用的場合非常重要或者環(huán)境比較復雜時，請盡量提供設計圖紙。</P>
<P>電阻焊定位銷使用注意事項<BR>氮化硅陶瓷屬于硬脆材料，在材料的加工使用過程中應注意：<BR>Si 3N 4陶瓷的制備方法
氮化硅陶瓷的制備技術發(fā)展很快 , 由于 Si 3N 4是強共價化 合物 , 其擴散系數(shù) 、 致密化所的體積擴散及晶界擴散速 度 、 燒結驅動力很小 , 這決定了純氮化硅不能靠常規(guī)固相燒結 達到致密化 。 目前氮化硅陶瓷燒結工藝方法主要有 :常壓燒 結 、 反應燒結 、 熱壓燒結 、 氣壓燒結等 。
1常壓燒結
常壓燒結是以高純 、 超細 、 高 α相含量的氮化硅粉末與少量助燒劑混合 , 通過成形 、 燒結等工序制備而成 。 由于常壓燒 結法很難制備高密度的純氮化硅材料 , 為了獲得的氮 化硅材料 , 需要加入助燒劑與 Si 3N 粉體表面的 SiO 2反應 , 在 高溫下形成液相 , 活化燒結過程 , 通過溶解析出機制使其致 密 。 因此 , 常壓燒結 Si 3N 4研究的關鍵在于選擇合適的助燒劑 。 目前常用的助燒劑主要有 :MgO 、 Y 2O 3、 稀土元素氧化物 、 復合 助燒劑等 , 這些助燒劑能控制液相粘度 , 提高相轉變 , 防止固 溶體形成 , 降低晶格氧含量并控制玻璃相組成和含量 。
2反應燒結
反應燒結是把硅粉或硅粉與氮化硅粉的混合物成形后 ,在 1200℃ 左右通氮氣進行預氮化處理 , 之后機械加工成所需 零件 , 后在 1400℃ 左右進行終氮化燒結 。 其主要反應有 :
3Si+2N2=Si 3N 4(1)
在反應爐中 , 隨著爐溫的不斷升高 , 氮氣的活性增強 , 當 達到一定溫度 1100~1200℃ 時 , 氮氣和硅粉發(fā)生 (1) 式反應 , 反應放出能量并傳給周圍硅原子 , 使之活化并繼續(xù)反應 , 隨著 反應不斷深入坯體內部 , 硅粉也不斷氮化生成氮化硅 。
2.3熱壓燒結
熱壓燒結是將 Si 3N 粉末和少量添加劑 (如 MgO 、 Al 2O 3、MgF 2、 Fe 2O 3等 ) 在 19.6MPa 以上的壓強和 1600℃ 以上的溫度進行熱壓成型燒結 。 英國和美國的一些公司采用熱壓燒結Si 3N 4陶瓷 , 其強度達到 981MPa 以上 。 熱壓燒結時添加物和氮化硅陶瓷的制備及性能研究進展. <BR></P>
