◆概述
三井TPX離型膜可用于各種用途的脫模薄膜，利用其的脫膜性和耐熱性，
將其作為柔性印刷基板（FPC）為主的電路板和電子、顯示屏、半導(dǎo)體等領(lǐng)域的脫模離
型材料。三井TPX薄膜用于各種離型、阻膠、填充等場(chǎng)合，分為單層型和多層型，并有
多種型號(hào)。根據(jù)表面外觀分為光面和磨砂面，需依據(jù)不同技術(shù)要求進(jìn)行選用。

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◆特性/優(yōu)點(diǎn)：
1.耐熱性好：在200℃高溫的情況下也可以使用，TPX的溶點(diǎn)在230攝氏度左右，在200
攝氏度的工藝程序中也可以使用；
2.脫模性出色：對(duì)各種材料均可剝離，表面張力小，對(duì)環(huán)氧樹脂等各種材料具有的脫模性；
3.填充性佳：可與復(fù)雜的表面形狀吻合（那怕是90°角），三井TPX可在約50℃的條件下軟化，極易緊密的依附于復(fù)雜的凹凸形狀；
4.透光性好：對(duì)比同類產(chǎn)品，透光性出色；
5.低污染性：不含硅膠、可塑劑等污染產(chǎn)品表面的物質(zhì)；
6.低密度：TPX密度是0.83，比大部分薄膜產(chǎn)品輕，利于運(yùn)輸、存儲(chǔ)。
7.環(huán)境適應(yīng)性：可焚燒處理，方便客戶的后續(xù)處理；

◆適用范圍
1.可用于柔性印刷電路基板，硬質(zhì)彎曲電路基板。
2.可用于AMC（符合材料），是一種具備機(jī)械強(qiáng)度和耐熱性的復(fù)合材料，三井TPX可
用于AMC制造工藝，可作為纖維布，碳素纖維等與環(huán)氧樹脂固化加工時(shí)脫模薄膜使用。
3.可用于密封半導(dǎo)體：隨著IT技術(shù)的進(jìn)步，如今已有許多半導(dǎo)體相續(xù)問世，三井TPX也
可以利用熱硬化樹脂密封，固化時(shí)作為脫模薄膜用。
4.在技術(shù)的發(fā)展中擔(dān)負(fù)重yao角色的三井TPX用在制造顯示器元件材料、太陽(yáng)能電池元件材料、高功能橡膠片等技術(shù)元件材料時(shí)，可以做為脫膜薄膜或分離等，兼?zhèn)涿撃Ｐ院湍蜔嵝缘母鞣N產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域用薄膜。

◆性能數(shù)據(jù)：Physical properties of Opulent
1.單層式Single-layer Type
TYPE

Single-layer Film
Taiwan
Japan
Product Name

X-44BR
X-99BR
X-44B
X-88B
X-88BMT4
Thickness

50UM
50UM
25UM
50UM
50UM
100UM
50UM
100UM
Item
Unit
Surface

Method
GLOSS
GLOSS
GLOSS
GLOSS
GLOSS
GLOSS
Matt Both side
Matt Both side
Strength at Yield (MD)
MPa
JIS K7127
24
34
26
26
33
30
30
29
Softening Temp.
℃
Tohcello*1
43
55
43
43
55
55
55
55
Thermaldimensional
change ratio(MD)
%
Tohcello*1
1.4
-1.0
2.2
1.7
1.9
1.4
-0.5
-0.3
Thermaldimensional
Change ratio(TD)
%
Tohcello*1
-1.0
0.3
-1.8
-1.2
-1.4
-1.2
0.3
0.1

2.多層式Multi-layer Type
TYPE

Multi-layer Film
Taiwan
Japan
Product Name

CR2040R
CR1012
CR1012MT4
CR1033
CR2031
CR2031MT4
CR2031MT6
Thickness

120UM
150UM
150UM
150UM
120UM
120UM
120UM
Item
Unit
Surface


Method
Gloss
GLOSS
Matt Both side
GLOSS
GLOSS
Matt Both side
Matt Both side
Strength at Yield (MD)
MPa
JIS K7127
23
20
17
13
22
21
20
Softening Temp.
℃
Tohcello*1
52
43
43
34
48
48
48
Thermaldimensional
change ratio(MD)
%
Tohcello*1
-0.5
0.9
0.4
0.8
0.7
-1.6
-1.6
Thermaldimensional
Change ratio(TD)
%
Tohcello*1
-1.0
-1.2
-0.6
-0.9
-1.0
0.4
0.4

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